全国前三股票配资手机“速度差异”的关键，可能既不是SoC、也不是系统

经常关注我们三易生活相关内容的朋友可能还记得全国前三股票配资，这些年我们一直在强调智能手机行业的“区别对待”问题。简单来说，这指的是定位更高的旗舰手机，在硬件配置、性能表现、做工用料等方面，与其价格不成比例地明显优于“非旗舰机”的现象。

这一点在影像传感器和SoC领域，可以说是表现得最为明显。一方面，哪怕是三五年前、价格早已跌倒两千元以内的老款顶级影像旗舰，它们的影像配置和拍照效果，大概率也依然可以“秒杀”现在的千元、两千元级别新机。

另一方面，当最近这几年的顶级旗舰SoC每年动辄性能提升百分之二三十、甚至更大幅度时，那些千元机所使用的“（厂商通常自称）省电向”SoC方案，却往往还在用着数年前的老旧架构与制程。甚至就算它们真的更新换代，进步幅度也要远低于同品牌的旗舰平台。于是这也就造成了在整个手机市场里，顶级旗舰与千元机、入门机在性能和体验上的差距，已经被越拉越大。

但如果我们要说，对于大多数普通用户的使用场景而言，真正造成手机“速度”体验差异的根源，根本不是高中低端SoC那看似巨大的架构与性能差异，而是别的因素，大家会不会感到惊讶呢？

骁龙680的GeekBench 6.1.0跑分成绩

为什么会这么说呢？首先，我们以古老、但如今依然还有厂商在使用的“Low-End（绝对低端）”SoC骁龙680为例，它发布于2021年，所使用的CPU架构（A73+A53）更是可以追溯到2016年年中，距今差不多已经有近10年时间。

第五代骁龙8至尊版的Geekbench 6.4.0跑分

但即便是这样一款“超古代芯片”，它目前在跑分软件GeekBench 6里的单核与多核成绩，也能达到当下最先进量产SoC（以第五代骁龙8至尊版为例）大约1/8的水平。如果换成安兔兔评测V11这类综合性能评测软件，那么骁龙680的整体性能表现，则大概是当下顶级旗舰的1/15。

听起来差距很大对不对？但大家要想到，这毕竟是近10年前的古老架构、4年前的老芯片了。在如此大的代差面前，哪怕是15倍的性能差距，似乎也显得合情合理。

更为重要的是，不管是怎样的“性能测试软件”，它们所测得的成绩都是各自设备在理想、满负荷状态下的性能指标。但大家要知道，对于那些新的旗舰手机来说，在日常使用场景下，几乎不太可能“逼出”它们的极限性能水准。

于是乎，在实际的日常使用过程中，这其实就构成了一种变相的“不公平”比拼。因为低端手机本身性能太差，所以它们反而可能在浏览网页、刷微博、在线购物等场景就已经“竭尽全力”，CPU和GPU满负载运转了。而对于高端的旗舰手机来说，别说日常低负载场景，就是拿来打重负载游戏，它们也实际上也用不到理论性能测试里体现出的“峰值性能”。

换句话说，站在消费者的角度而言，“骁龙680们”虽然客观上技术落后、性能拉胯，确实是应该被淘汰、甚至鄙夷的对象，但它们在典型的日常使用场景里，相比于现款的顶级旗舰机型，光看性能、游戏帧率的话，还真不见得会落后到理论上那么大的程度。

那么可能有的朋友会说，就算这样，但低端机的系统往往会格外简化，功能上有大量缺失。

的确如此，但正因为手机厂商知道低端机性能不行，所以这种系统层面的功能简化，反而会“帮助”这类机型些微提升流畅度。比如去掉大量的过度动画效果、减去端侧AI功能等等，虽然可能“不好看”，但俗话说“傻快也是快”对不对？况且现阶段很多手机上的AI功能，本质其实都是在云端服务器上运行，与手机本身的性能高低还真不见得有太多关系。

那么对于现阶段的旗舰机与低端入门级机型来说，到底哪个部分才是真正对“性能差异”、“用户体验”影响最大的呢？

答案，其实是闪存的型号与品质。

Zone UFS理论上能够完全避免传统闪存“随机写入”导致的碎片问题

纵观现在已经发布、或是即将发布的旗舰新机就不难发现，各家在新的闪存技术上又“玩出了花”。有的厂商开始使用UFS 4.1的“满血”四通道模式，也有厂商选择了分区闪存（Zone UFS）技术，通过将热数据完全存储在SLC Cache、且在硬件上避免应用碎片的方式，来让新款旗舰机得到数倍的随机读写性能提升。

这还没完，日前有消息显示，下一代的UFS 5.0闪存标准也已经接近制定完成。其目标读写速度会达到10000MB/s的水准，几乎相当于PC上早期PCIe 5.0 SSD的水平，比现有的UFS 4.1二通道闪存快了超过100%，哪怕是对比刚上市的四通道UFS4.1方案，速度也能再提升接近50%。

而如今的入门级机型呢？有意思的是，“得益”于闪存行业的整体技术换代，它们也有新的闪存可用，而且确实比过去容量更大、价格也有望更低。甚至就连名义上的速度，现在的入门级手机起码也能配上个UFS2.0级别的闪存，空盘测试怎么着也能有500多MB/s的水准，比前些年臭名昭著的eMMC闪存，看起来还是要快多了。

可问题就在于，一方面哪怕是不考虑UFS4.1四通道这种刚上市、还没全面铺开的“性能怪兽”，如今典型旗舰机所采用的双通道UFS4.1满血速度也能有4000MB/s上下，已经是入门级手机的七、八倍之多。

而且这个七八倍的性能差可无关“负载”，它在手机日常使用的任何时候都能体现出来。比如在应用安装、加载，甚至是回看照片或视频时，顶级旗舰机型比入门机的闪存速度快这么多，真就是很明显“流畅”与“卡顿”的区别。

这还没完，还得考虑到手机在长时间使用之后的情况。众所周知，本身会购买、使用低端机型的用户，Ta们的换机周期就可能比其他人更久。但问题就在于，入门级产品配备的“看起来大容量”的闪存，有很大概率会是廉价的QLC方案。

而QLC的最大缺点是什么呢？没错，它比TLC闪存更容易发生掉速现象。而且一旦掉速，QLC闪存的实际性能就会变得非常惨不忍睹。有多惨呢？根据网友实测，即便是价格并不便宜、理论上用的QLC品质“没那么差”的设备，在闪存发生掉速后，实际读写也只剩下50MB/s左右的水平，甚至还不如一些USB2.0时代的U盘快。